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二极管开关过程的损耗问题

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  • 发表于:2018-05-05 14:52 分享至:
    二极管的瞬态开关过程是pn结电容器的充放电过程。当二极管从截止开关切换到导通时,它相当于电容器的充电。当二极管从导通切换到截止时,它相当于电容器的放电。二极管结电容越小,充放电时间越短,过渡过程越短,二极管的瞬态开关特性越好。
    实际功率二极管在不同的地方使用,结果不一样,根据书的校正和连续的两块流动来分析,我可以组织它,效果比较好。有兴趣的同志可以去看一本非常详细和详细的书。
    整个开关过程本质上考虑了结电容器的工作。如果没有电容器,整个开关过程是理想的,相当于一个理想的开关。
    补充(引用未知编辑的在线图纸和过程分析):
    由于当二极管被施加到正向电压时,载流子的不断扩散。当外加电压P N孔扩散区,N区到P区的电子扩散,这样,不仅势垒区(耗尽)缩小,使存储在P区相当数量的载体,存储电子,和记忆中的N区的孔,他们都是非平衡少数载流子,如下图所示。
    在储存电荷消失之前,pn结仍处于正向偏压,即势垒区仍然很窄,pn结的电阻仍然很小,与RL相比可以忽略不计,所以此时反向电流为。VD表示pn结两端的正向压降,典型的是VR。在此期间,IR基本上保持不变,主要由VR和RL决定。在时间t后,p区和n区的电荷明显减少,势垒区变宽,反向电流逐渐减小到正常反向饱和电流的值。经过一段时间的TT,二极管变成一个截止。正如大家所看到的,反向恢复过程发生在二极管的开关过程中。本质上,反向恢复时间是存储电荷由于电荷存储效应而消失的时间。
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